CMPA801B025D
CREE 25W ，8.0-11.0GHZ ，GAN,MMIC,Power Amplifier,CMPA801B025D CMP801B025D是高电子迁移率晶体管(HEMT)基础上一个氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)。具有优越的性能，比硅或砷化镓（包括高击穿电压）有更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT，比Si和砷化镓晶体管能够提供更大的功率密度和更广泛的带宽。这款MMIC包含一个二级反应性地匹配放大器的设计方法，并启用很宽的带宽来实现。
跨国经营，依托加拿大总公司的便利，公司提供COC文件和原厂提供的技术服务支持，主要为国内军工单位、科研院校提供射频微波/毫米波产品、军用连接器。
CMP801B025D主要特性：
• 28 dB Small Signal Gain
• 35 W Typical P SAT
• Operation up to 28 V
• High Breakdown Voltage
• High Temperature Operation
• Size 0.142 x 0.188 x 0.004 inches
产品应用：
• Point to Point Radio
• Communications
• Test Instrumentatio
• EMC Amplifiers
CREE部分型号如下：
CGH：CGH60008D、CGH60015D、CGH60030D、CGH60060D、CGH60120D、CGHV1J006D、CGHV96050F2、CGHV1J025D、CGHV1J070D、CGH09120F、CGH21120F、CGH21240F、CGH25120F、CGH27015、CGH27030、CGH27060、CGH31240、CGH35015、CGH35030、CGH35060F1/P1、CGH35060F2/P2、CGH35240、CGH40006P、CGH40006S、CGH40010、CGH40025、CGH40035、CGH40045、CGH40090PP、CGH40120F、CGH40120P、CGH40180PP、CGH55015F1/P1、CGH55015F2/P2、CGH55030F1/P1、CGH55030F2/P2、CGHV96050F1、CGHV96050F2、CGHV96100F1、CGHV96100F2
CMPA：CMPA0060002D、CMPA0060025D、CMPA2060025D、CMPA2560025D、CMPA2735075D |
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