威柏电子专业代理富士电机半导体HPM(High Power module),3.3KV IGBT模块，3.3KV IGBT Module,3300V IGBT模块，3300V IGBT Module
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高性能芯片：沟槽FS结构的 U 或 V-芯片
低热电感封装：更佳的热性能 低热电阻陶瓷
高绝缘寿命封装材料：新外壳 CTI>600
更多输出功率密度 以175℃ Tj(*大)
相容性封装：功能相容性能和入出力位置
广泛应用于：铁路牵引电机；机车变流装置；风力发电；高压变频器...
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