CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
技术指标：
设 备 型 号 NT-CVD(G)-08/50/1
温区*高温度 1650℃；(*长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (*长恒温时间：≥100小时)
加热有效容积 Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm
炉管实际尺寸 Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管）
炉 膛 材 料 氧化铝纤维制品
控制温区点数 1个，1支B分度热偶
设备温场温差 ±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)
加 热 元 件 优质硅钼棒
*大加热功率 12Kw
保 温 功 率 5kw
*大升温速率 3℃∽10℃/min;
*大降温速率 3℃∽7℃/min
温度均匀性 ±3℃(有效范围：Φ72×250mm)
气路配件材料 气路配件材料，端头不锈钢发兰密封，
一路气体采用浮子流量计控制，
所有管道和阀门采用不锈钢元件
极 限 真 空 ≤10Pa（常温） ,一级机械泵（配电磁阀）。
压升率 ≤5Pa/h
1000时可抽真空，能通保护氮气
外型参考尺寸 1250（L）×1650（H）×650（D）mm
输入动力电源 单相电源，50HZ ，220V±10%；10KW
炉体表面温升 ≤45℃ |
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