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多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。
单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以*大程度地发挥大切速、细线化、切薄片的技术优势，切割效率更高、硅损更低、出片率更高、硅片表面质量更优，从而使得金刚线单晶切片成本可以大幅度下降得更低。经测算，单晶采用金刚线切割，按照单晶硅片厚度190um测算，金刚线直径每下降10um，单片硅成本下降约0.15元、产能提升约4%；而按照金刚线母线线径100um测算，硅片厚度每降低20um，单片含硅成本下降约0.25元、产能提升约7%。随着未来金刚线母线线径和硅片厚度下降，金刚线切割单晶硅片还有很大的成本下降空间。 |
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