FIB测试，离子束切割
FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的Ga+打到指定的点. 基本原理与SEM类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。检测流程包括：样品制定、上机分析、拍照等，*后提供界面相片等数据。
主要用途：
1、电路修正, 用于验证原型,改善bug，节省开支，增快上市时间。
2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。
3、材料分析-TEM样品制备,用于精确定点试片制作,减低定点试片研磨所需人员经验的依赖。
4、电压对比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。
5、Grain(晶粒)形状大小的判定
SEM测试 扫描电子显微镜
1. 原理
SEM的工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样品的表面结构有关，次级电子由体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象，反映了标本的表面结构。
2. 性能
设备能够满足可以观察直径为0～200mm（8〞wafer）的试样。
放大倍率：×5～×300,000
设备能够满足可以观察直径为0～200mm（8〞wafer）的试样。
放大倍率：×5～×300,000
FIB测试，SEM测试，百格测试等；
3.其中电气性能包含：表面电阻，接触电阻，绝缘电阻，耐电压，温升试验，摩擦电压、静电消散时间等等；
4.FIB透射电镜样品制备 这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。
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