特点： 实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS
封装： DIP4
端子形状： Through Hole
包装方式： Tube packing
连续负载电流： 0.55A
负载电压： 60 V
导通电阻(平均)： 0.85 ohm
输出端子间容量(平均)： 80 pF
国外标准： UL, C-UL, BSI
触点结构： 1a
耐电压： 5000V AC
导通电阻(*大)： 2.5 ohm
开路状态漏电流(*大)： 1μA
*大允许LED电流： 50mA
LED反向电压： 5V
*大正向电流： 1A
部允许损耗： 75mW
动作LED电流(平均)： 1.2mA
动作LED电流(*大)： 3mA
复位LED电流(*小)： 0.4mA
复位LED电流(平均)： 1.1mA
LED压降(平均)： 1.25V
LED压降(*大)： 1.5V
动作时间(平均)： 1ms
复位时间(平均)： 0.05ms
全部允许损耗： 550mW
使用环境温度： -40℃～+85℃
保存温度： -40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)： 0.8pF
输入/输出间端子容量(*大)： 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(*小)： 1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流)： 5-10mA |
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