FF200R12MT4绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF600R12ME4
FF900R12IE4
FF200R12KT3_E
FF300R12KT3_E
FF400R12KT3_E
FF225R12ME4
FF300R12ME4
FF450R12ME4
FF600R12IS4F
FF1400R12IP4
FF900R12IP4D
FF900R12IP4
FF600R12IP4
FF600R12IE4
FF450R12IE4
FF450R12KE4
FF300R12KE4
FF200R12KE4
FF450R12KT4
FF300R12KT4
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF150R12MT4
FF100R12MT4
FF300R12MS4
FF150R12MS4G
FF225R12MS4
BSM25GB120DN2
BSM35GB120DN2
BSM50GB120DLC
BSM50GB120DN2
BSM75GB120DLC
BSM75GB120DN2
BSM100GB120DLC
BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2K
BSM150GB120DLC
BSM150GB120DN2
BSM200GB120DLC
BSM200GB120DN2
BSM300GB120DLC
FF75R12YT3
FF100R12KS4
FF100R12YT3
FF150R12KE3G
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12ME3G
FF150R12YT3
FF200R12KE3
FF200R12KS4
FF200R12KT3
FF225R12ME3
FF300R12KE3
FF300R12KS4
FF300R12KT3
FF300R12ME3
FF400R12KE3
FF400R12KF4
FF400R12KL4C
FF400R12KT3
FF450R12ME3
FF600R12KE3
FF600R12KF4
FF600R12KL4C
FF800R12KE3
FF800R12KF4
FF800R12KL4C
FF1200R12KE3 |
免责声明：以上所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，www.qy6.com对此不承担任何责任。如有侵犯您的权益，请来信通知删除。