产品参数
标准包装：5,000
FET 型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：21A
Rds（*大）@ ID，VGS：4 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（*大）@ Id ：2.2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 45nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds：1540pF @ 15V
功率 - *大： 3.1W
安装类型： Surface Mount
包/盒：8-SMD
供应商器件封装：8-DFN-EP (3x3)
包装材料：Tape & Reel (TR)
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场效应管
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