SKW20N60HS基本参数，现货报价
SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT单管特点:
●NPT-IGBT 芯片技术
●比上一代降低30％的Eoff，
●短路承受时间- 10 us
●参数离散性小，易于批量生产
●开关速度快，高频特性好
●正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性
●可替代许多MOSFET应用领域
●拖尾电流小且随温度增加不明显增加，高温特性优异
●无锁定效应，过载能力强，可靠性高
●无铅电镀引脚;符合RoHS标准
●根据JEDEC1合格为目标
SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT单管参数说明：
Type VCE IC Eoff) Tj Package Marking
SKW20N60HS 600V 20 240μJ 150℃ PG-TO-247-3 K20N60HS
FF400R07KE4 FS10R06VE3 FP40R12KT3 FZ3600R17HP4 FF225R17ME3 FF100R12KS4
FF800R17KE3 SKW20N60HS
一、600V系列
两单元：BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC
BSM200GB60DLC BSM300GB60DLC FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3
FF200R06ME3 FF300R06ME3 FF400R06ME3 FF450R06ME3 FF600R06ME3
4单元（H桥）F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4 F4-30R06W1E3
F4-50R06W1E3 F4-75R06W1E3
6单元（三相桥）FS20R06W1E3 FS30R06W1E3 FS50R06W1E3 FS10R06VL4_B2
FS15R06VL4_B2 FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4
FS6R06VE3_B2 FS30R06XE3 FS50R06YE3 FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3
FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 FS200R06KE3 FS50R06YL4 BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC |
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可控硅(晶闸管)
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