FS10R06VE3是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，FS10R06VE3消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然*新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比FS10R06VE3 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及FS10R06VE3的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化FS10R06VE3驱动器的原理图。FS10R06VE3基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。
FS10R06VE3硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是FS10R06VE3增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-FS10R06VE3技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。
FS10R06VE3是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。
报价 基本资料
FF400R07KE4 FS10R06VE3 FP40R12KT3 FZ3600R17HP4 FF225R17ME3 FF100R12KS4
FF800R17KE3 SKW20N60HS
FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、FF200R06K3、FF300R06KE3 |
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