考夫曼离子源 KDC 40
KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
型号
KDC 40
供电
DC magnetic confinement
- 阴极灯丝
1
- 阳极电压
0-100V DC
电子束
OptiBeam™
- 栅极
专用, 自对准
-栅极直径
4 cm
中和器
灯丝
电源控制
KSC 1202
配置
-
- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构
移动或快速法兰
- 高度
6.75'
- 直径
3.5'
- 离子束
集中
平行
散设
-加工材料
金属
电介质
半导体
-工艺气体
惰性
活性
混合
-安装距离
6-18”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生 |
|
手机站
您当前位置是：产品大全 >> 机械及行业设备 >>
其他未分类
免责声明：以上所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，www.qy6.com对此不承担任何责任。如有侵犯您的权益，请来信通知删除。
联系信息
