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华润华晶CS16N65FA9R-G 华润华晶CS16N65FA9R-G//华润华晶CS16N65FA9R-G

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公 司: 深圳市光华创新科技有限公司 
发布时间:2023年08月05日
联系人:陈生 先生 加为商友
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陈生 先生 (销售)
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电  话: 0755-8271-1345
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公 司:深圳市光华创新科技有限公司

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详细说明

    描述
CS16N65FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。

特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.56Ω)
•低栅极电荷(典型数据:50.5oC)
•低反向转移电容(典型值:10.4pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
•无卤素

应用
适配器和充电器的电源开关电路


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