供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04

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公　司：深圳市振邦微科技有限公司

发布时间：2022年09月28日

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详细说明

深圳市振邦供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04采用先进的沟槽技术和
设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它
可以在各种各样的应用中。
特征：
VDS =40V，ID =150A
RDS（ON）<3毫欧 VGS= 10V RDS（ON）<4.0m毫欧 VGS= 4.5V
高密度电池设计超低导通电阻低
充分界定雪崩电压和电流
良好的稳定性和均匀性高WAS
优秀的包装为良好的散热
特殊的工艺技术，高ESD能力
应用领域：
1*电源开关应用
2*硬开关和高频电路
3*不间断电源供应
*对*大额定值：
1.漏 - 源电压VDS40V
2.栅源电压±20V
3.漏级电流150A
4.漏电流连续（TC=100℃）105A
5.漏电流脉冲600A
6.*大功率130瓦特
7.工作结存储温度范围-55?175℃
现以开始大批量供货，长期有现货，可提供型号样品，样板，技术等，
欢迎来咨询WV980

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