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氮化钽靶材TaN磁控溅射靶材 氮化钽靶材TaN磁控溅射靶材//氮化钽靶材TaN磁控溅射靶材

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公 司: 北京京迈研材料科技有限公司 
发布时间:2022年02月15日
联系人:张英 女士 加为商友
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张英 女士 (销售)
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电  话: 4000903950
传  真: 4000903950
手  机: 13301329625
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公 司:北京京迈研材料科技有限公司

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详细说明

    氮化钽靶材TaN磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
氮化钽(TaN)为黑色六方结晶或黄绿色结,不溶于水、酸。用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀;用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。
产品参数
中文名 氮化钽 化学式 TaN
分子量 194.95 熔点 3090°C
密度 13.4g/cm3 纯度99.99%
【关于我们】
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
注 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。


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