长禾第三方功率器件检测中心IGBT测试

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公　司：西安长禾半导体技术有限公司

发布时间：2024年05月08日

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蒲经理先生 (运营经理)

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电　　话： 17792574070 传　　真：手　　机： 17792574070 在线联系：地　　址：中国陕西西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼0310室邮　　编：
公司主页：	http://chbdt.qy6.com(加入收藏)

详细说明

检测项目覆盖产品检测能力参考标准
功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*大1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件温度*高150℃；电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件温度*高150℃；电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件温度*高150℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件温度*低-80℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

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