ZZ-A13中洲测控生产的多晶硅少子寿命测试仪是一款硅片少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。
多晶硅少子寿命测试仪测试范围广:包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。
适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ>0.1Ω?cm(可扩展至0.01Ω?cm)，完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。
全程监控动态测试过程，避免了微波光电导(u-PCD)无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。
贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。
多晶硅少子寿命测试仪配置两种波长的红外光源
1、1.07μm波长红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
2、0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
多金硅少子寿命测试仪 测量范围：
1、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
2、抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
可测范围：
1、分体式：2μS—10ms
2、一体式：0.5μS—20m |
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