日本进口氧化镁MgO靶隧道磁电阻TMR

手机站

您当前位置是：产品大全 >> 电子元器件 >> 半导体材料 

日本进口氧化镁MgO靶隧道磁电阻TMR

日本进口氧化镁MgO靶隧道磁电阻TMR//日本进口氧化镁MgO靶隧道磁电阻TMR

浏览大图

公　司：上海锡霖国际贸易有限公司

发布时间：2023年11月17日

联系人：王文丽女士

加为商友

留言询价

联系信息

企业信息

王文丽女士 (业务员)

联系时，请说是在企业录看到的，谢谢！

电　　话： 021-62597239 传　　真： 021-62596970 手　　机： 18221104206 在线联系：地　　址：中国上海静安区新闸路831号邮　　编： 200041
公司主页：	http://sailing.qy6.com(加入收藏)

详细说明

隧道磁电阻效应编辑讨论上传视频
铁磁薄片的磁化方向可以在外磁场的控制下被独立的切换。如果极化方向平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性会更大，其宏观表现为电阻小；如果极化方向反平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性较小，其宏观表现是电阻极大。因此，这种结可以在两种电阻状态中切换，即高阻态和低阻态。
随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。MTJs中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合，只需要一个很小的外磁场即可将其中一个铁磁层的磁化方向反向，从而实现隧穿电阻的巨大变化，故MTJs较金属多层膜具有高得多的磁场灵敏度。同时，MTJs这种结构本身电阻率很高、能耗小、性能稳定。因此，MTJs无论是作为读出磁头、各类传感器，还是作为磁随机存储器(MRAM)，都具有无与伦比的优点，其应用前景十分看好，引起世界各研究小组的高度重视。 [1

免责声明：以上所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，www.qy6.com对此不承担任何责任。如有侵犯您的权益，请来信通知删除。

该公司其他产品信息

1 直接到第页

共 25 条信息，当前显示第 1 - 25 条，共 1 页

1 2 3 4 5 6 7 ..

联系人：王文丽电话：021-62597239