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功率半导体模块可靠性 雪崩 浪涌 功率循环测试实验室 功率半导体模块可靠性 雪崩 浪涌 功率循环测试实验室//功率半导体模块可靠性 雪崩 浪涌 功率循环测试实验室

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公 司: 西安长禾半导体技术有限公司 
发布时间:2024年04月18日
联系人:蒲经理 先生 加为商友
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蒲经理 先生 (运营经理)
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电  话: 17792574070
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手  机: 17792574070
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地  址: 中国陕西西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼0310室
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公司主页: http://chbdt.qy6.com(加入收藏)
公 司:西安长禾半导体技术有限公司

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详细说明

    西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有*端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。
诚信立世,感恩回馈,欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴,共谋发展大计!
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
功率循环试验(PC) IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*大1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃; 电压*高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温门极试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度*高150℃; 电压*高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃ 电压*高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*低-80℃ 电压*高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等


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