ENX2020功率器件雪崩耐量测试系统是本公司研发设计的测试Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的专业测试设备，系统满足美军标MIL-STD-750F·3470，能够准确快速的测试出IGBT、MOS、二极管的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、霍尔电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、功率型器件、功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试适配器（可定制）、外接测试端口等多个部分。
ENX2020 雪崩耐量测试系统
功能指标：
测试参数
功能指标
雪崩电压Va
10- 2500 V，分辨率1V
漏极电压
10-150 V，分辨率1V
栅极电压
2-20V，分辨率1V
漏极电流Ia
1A-100A，分辨率0.1A
漏电测试
电压= 2V-150V，I = 1.0 mA；Imax = 8.0 mA
雪崩能量 Eas/Ear
1mJ -100J ，分辨率1mJ
感性负载
0.01 mH-159.9 mH 程控式电感，分辨率10uH
参数输入
GPIB输入
波形捕捉和分析
雪崩电流 Ia、雪崩电压 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控机显示器上同时捕捉观察
输出
两路独立输出，用于测试 N，P 或者组合的 MOSFET，IGBT。
外部接口
PTNET：网络连接和控制的 PTNET,
提供最多 50 个虚拟 BIN；
Handler 接口：15-bin 控制的机械手接口； |
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