ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接，以及人机界面操作，即可完成测试，并实现结果以Excel和Date的格式保存。
系统支持 Si 器件和 SiC 器件的静态参数测试。
ENJ2005-C 功率器件图示系统
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
配置
规格/环境
主极电压
1mV-2000V 尺 寸 450×570×280（mm）
电压分辨率
1mV 质 量 35kg
主极电流
0.1nA-100A 工作电压 200V-240V
扩展电流
/ 电源频率 47Hz-63Hz
电流分辨率
0.1nA 工作温度 25℃-40℃
测试精度
0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB
测试速度
0.5mS/参数 系统功耗 <150w
测试范围：
01
二极管 / DIODE
02
晶体管 / NPN型/PNP型
03
J型场效应管 / J-FET
04
MOS场效应管 / MOS-FET
05
双向可控硅 / TRIAC
06
可控硅 / SCR
07
绝缘栅双极大功率晶 |
 |
|
|
手机站
您当前位置是：产品大全 >> 仪器仪表 >>
实验仪器装置
免责声明：以上所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，www.qy6.com对此不承担任何责任。如有侵犯您的权益，请来信通知删除。
联系信息
