静电放电的危害：
（1）引起电子设备的故障或误动作，造成电磁干扰。
（2）击穿集成电路和精密的电子元件，或者促使元件老化，降低生产成品率。
（3）高压静电放电造成电击，危及人身安全。
（4）在多易燃易爆品或粉尘、油雾的生产场所极易引起爆炸和火灾。
随着芯片工艺的进步，芯片的速度和功能都得以提升，但芯片却变得更加脆弱。集成度的提高使得器件尺寸越来越小，器件之间的连线宽度越来越窄，钝化层越来越薄，这些因素都会使芯片对ESD的敏感性增加。一个不太高的ESD电压就能将晶体管击穿，一个不太大的ESD电流就能将连线熔断。因此静电放电保护至关重要，今天我们特别推荐ESD放电二极管FESD0504S，它可以让我们的电子产品不再担心静电放电的危害。
1：ESD静电二极管FESD0504S低容以太网端口ESD参数：
封装：SOT-26
电压：5V
钳位电压：12.5V
容值：1.2pF
功率：350W
2：ESD静电二极管FESD0504S低容以太网端口ESD特性:
1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为350W
2、保护四个I/O线
3、低钳位电压
4、工作电压：5V
5、低漏电流
6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)
7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)
8、IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs)
3：ESD静电二极管FESD0504S低容以太网端口ESD尺寸:
4：本公司生产以下型号ESD静电二极管：
1 单路TVS FESD9D3V3 单路单向TVS,3.3V,DFN1006(0402) ESD9X3.3ST5G /ONsemi ESD9X3V3 /Willsemi SESD9D3V3/SINO
2：FESD9D5V 单路单向TVS,5.0V,DFN1006(0402) ESD9X5.0ST5G /ONsemi ESD9X5V /Willsemi UM5059/Union PESD5V0SIUL /NXP SESD9D5V/SINO DF2S6.8FS/Toshiba
3：FESD9D12V 单路单向TVS,12V,DFN1006(0402) ESD9X12VD/Willsemi SESD9D12V/SINO
4：FESD9D5VL 单路单向,0.9PF,DFN1006,,USB3.0 HDMI口的保护 SESD9L5V/SINO ESD9X5VL/Willsemi SIG9L5.0ST5G/SIG ESD9X5VU/Willsemi
5：FESD9B5V 单路双向,5.0V,DFN1006(0402) ESD9B5.0CT1 /ONsemi PESD5V0S1BL/NXP PESDC2ND5VB/Prisemi SESD9D5C/SINO RSB6.8CM/Rohm
6：FESD9B5VL 单路双向TVS，0.9PF，DFN1006(0402) ESD9N5VU-2/TR/Willsemi SEDFN05CU/SINO
7： FESD9B5VUL 单路双向TVS，0.35PF，DFN1006(0402) ESD9N5VU-2/TR/Willsemi SEDFN05CU/SINO
8： FESD5Z3V3 单路单向,3.3V,SOD-523（0603） ESD5Z3.3T1/Onsemi SESD5Z3V3/SINO
9： FESD5 |
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