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供应C32 IGBT缓冲吸收电容器 供应C32 IGBT缓冲吸收电容器-广东华裕电子有限公司-供应C32 IGBT缓冲吸收电容器

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公 司: 广东华裕电子有限公司
发布时间:2015年09月29日
有 效 期:2016年03月30日
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公 司:广东华裕电子有限公司

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详细说明

    C32  IGBT缓冲吸收电容器
型号 规格 价格(元) 尺寸(mm) 引出
C32 1.0vF/1200V 9 Φ27.5*L44 d=1.2
价格仅供参考,以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于UPS、逆变器、感应加热、电焊机等设备的IGBT模块吸收保护。
Widely used in UPS,inverter,induction heaters,welding machine for IGBT snubber protection.
产品特点/Characteristics
电介质:聚丙烯薄膜
结构:双面金属化与金属化膜内串结构
封装:阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装
引出:镀锡铜线
能承受高脉冲电流,高dv/dt,ESL,ESR小,具有自愈性
Dielectric:Polypropylene film
Construction:Extended  double  side  metalized  carrier film with internal series connection and metalized film
Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution(UL94V-0)
Terminals:Tinned copper lugs
High pulse current,high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standards GB/T 17702  IEC 61071
工作温度范围/Operating temperature range -40℃~85℃
容量范围/Capacitance 0.022μF~5.6μF
额定电压/Rated Voltage 700Vdc~3000Vdc
容量偏差/Tolerance ±5%  ±10%
极间耐电压/Test voltage between terminals 1.5Ur(Vdc)10s  25℃±5℃
极壳耐电压/Test voltage between terminals and case 3000V 50Hz 60s,25℃±5℃
损耗角正切/Dissipation factor tgδ≤6×10-4   at 25℃±5℃,1kHz
绝缘电阻/Insulation resistance C×R≥30000s,at 100Vdc,25℃±5℃,60s
预期寿命/Life expectancy 200000h at Ur and 70℃
此产品关键字:
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华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商


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