EN-2005B功率器件综合测试系统
系统概述
西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用
应用领域
领
域 军工院所、高校、半导体器件生产厂商、
电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修 等 ……
用
途 测试分析
器件选型
筛选检验
生产线 自动 批量 测试等 …… 。
技术指标
主极参数 控制极参数
指标 标配 选配 指标 标配 选配
①主极电压: 2000V 1000V ①控制极电压： 100mV-20V 80V
②电压分辨率： 1mV ②电压分辨率： 1mV
③主极电流： 50A 200A / 500A
800A / 1250A ③控制极电流： 100nA-10A 40A
④电流分辨率： 1nA 10pA
⑤测试精度： 0.2%+2LSB
⑥测试速度： 0.5mS/参数
测试范围 / 测试参数
序号 测试器件 测试参数
01 二极管
DIODE IR；BVR ；VF
02 晶体管
（NPN型/PNP型） ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；
BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF
03 J型场效应管
J-FET IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF
04 MOS场效应管
MOS-FET IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
05 双向可控硅
TRIAC VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
06 可控硅
SCR IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；
IGT；VGT；IL；IH
07 绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS
08 硅触发可控硅
STS IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；
VPK-；VGSW+；VGSW-
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