化学机械抛光（ＣＭＰ）已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。抛光液在ＣＭＰ过程中发挥着重要作用。
化学机械抛光（Chemical mechanical polishing，简称CMP），又称化学机械平坦化（Chemical mechanical planarization），是提供超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造过程中表面平坦化的一种新技术，于1965年首次由美国的Monsanto提出，最初是用于获取高质量的玻璃表面。ＣＭＰ技术将磨粒的机械研磨作用与纳米材料的化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面加工，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。ＣＭＰ过程是一个动态的微细加工过程，在该过程中，抛光液中的化学组分与工件发生反应，在工件加工表面形成一层很薄、结合力较弱的生成物；而抛光液中磨粒在压力和摩擦作用下对工件表面进行微量去除。此外，抛光过程抛光液还通过在抛光区域形成流体膜以及带动磨粒在抛光区运动影响抛光过程。所以，抛光液在ＣＭＰ过程中影响着化学作用与磨粒机械作用程度的比例，影响着抛光区域的温度，在很大程度上决定着ＣＭＰ能获得的抛光表面质量和抛光效率。
现代电子,光学科技的飞速发展, 令到许多相关行业对其原材料表面光洁度的要求越来越高. 能否正确选用适当的研磨, 抛光材料, 已成为保障这类产品品质的最重要的因素之一. 在超过半个世纪的发展中, 随着各类新型材料在高科技及生活中的出现, 科凝化工根据被加工物件各异的理化特性, 针对性的研制了各类不同的抛光研磨材料, 充分满足了市场的需求. 近年来, 国内半导体, 激光, 压电晶体, 光学晶体, 光学玻璃, 光学塑料以至镜面金属模具, 陶瓷加工等行业的高精度表面处理, 都在越来越多的采用.
CMPKN-80 是以高纯度的，粒径仅为数十纳米的胶态氧化硅配以独特的专利悬浮防锈液等高分子成分所组成。可以保障到被加工件镜面无划痕的要求，特别适用于铌酸锂，钽酸锂，蓝宝石等电子材料最终抛光。达到即开即用的标准，同样也广泛应用于各种非线性光学晶体，激光晶体的精抛，以及高硬度合金模具，特殊陶瓷，电脑玻璃磁盘基片等产品的最终精抛。 |
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